Hibridinis galios stiprintuvas (tęsinys, 3-a dalis) [1] [2]
Toliau aprašoma hibridinio stiprintuvo modifikacija su dviem paprastais, lengvai pagaminamais transformatoriais. Čia pridedame vieną papildomą tranzistorių, bet išlošiame galimybę nedaryti sudėtingo, daug darbo reikalaujančio transformatoriaus lempos apkrovime. Transformatorius mosfeto kartotuve yra nepalyginamai paprastesnis, lengvai padaromas.
Tarpinis (fazoinversinis) transformatorius susuktas ant 8-10 kv. cm skerspiūvio EI tipo šerdies. Labai gerai tam reikalui tinka transformatoriaus OCM-0,1 šerdis ir karkasas (3 pav). Vyniojama iš karto keturiais 0,56 mm storio laidais, 180 vijų. Gauname keturias apvijas. Vyniojimas keturiais laidais iš karto parodytas 6 pav. Viena apvija, pirminė, sudaroma iš dviejų laidų sujungtų nuosekliai ir jungiama kartotuvo išėjime, kitos dvi, įjungtos priešfaziu, valdo išėjimo kaskado tranzistorius. Turime transformatorių 2:1:1, pirminė 360 vijų ir dvi antrinės po 180 vijų. Transformatorius absoliučiai simetriškas. Kadangi vijų visai nedaug, nebeturi įtakos parazitiniai talpumai tarp vijų, kas lempiniuose transformatoriuose yra viena iš didesnių problemų. Per apviją teka pastovi srovės dedamoji (apie 0,5A), todėl būtinas nemagnetinės medžiagos tarpelis. Tiesiog tarp E šerdies galiukų reikia įklijuoti 0,05 mm storio popierėlius. Kadangi maitinimo įtampa neaukšta, jokių tarpsluoksninių izoliacijos sluoksnių dėti nereikia. Toks laidas be papildomų izoliacijų atlaiko 1000V įtampą. Vyniojimui, kad visi 4 laidai neliptų vienas ant kito, nepersisukinėtų, reika pasigaminti plokštelę su laido storio plyšiuku (5 pav).
Išėjimo autotransformatorius ATR suvyniotas ant 100W galingumo toroidinio transformatoriaus šerdies. Vyniojama iš karto keturiais 0,8 mm storio laidais. Viso labo reikia prisukti tokiu keturgubu laidu 150 vijų. Po to sukomutuojame pagal 2 brėžinį. Sukomutavę faktiškai gauname 600 vijų su atšaka nuo vidurio labai simetriškos apvijos. Reikia stengtis, kad apvija padengtų visą torą vienodai. Išėjimai AA' skirti 8 omų apkrovai. Jei kolonėlės žemaomės, galima padaryti atšakas BB'. Visai sėkmingai galime vynioti ir ant paprastos EI 14-16 kv. cm šerdies. Taip pat vyniojame keturiais laidais iš karto, jokių izoliacinių sluoksnių tarp apvijų dėti nereikia.
Visų šioje straipsnelių serijoje aprašytų stiprintuvų esmė yra tame, kad mosfet tranzistoriai įjungti kaip ištakos kartotuvai (follower). Faktiškai kartotuvas yra stiprintuvas su 100% neigiamu grįžtamu ryšiu. Jie visai nestiprina įtampos (stiprinimo koeficientas kiek mažesnis už 1) bet stiprina srovę ir turi labai mažą išėjimo varžą. Taip pat tokio laipsnio labai maži iškraipymai, faktiškai stiprintuvas skamba taip, kaip prieš tranzistorius stovintis lempinis įtampos stiprintuvas ir visą signalo įtampos stiprinimą atlieka tik lempa. Šioje schemoje lempinio kaskado stiprinimas yra apie 45-50. Maža kartotuvo išėjimo varža leidžia naudoti apkrovime transformatorius su visai nedideliu vijų skaičiumi, ne taip kaip kad lempiniuose stiprintuvuose. Dar šitokios konstrukcijos svarbi savybė yra ta, kad esant nedideliam vijų skaičiui, praktiškai nebeturi jokios įtakos talpumai tarp transformatoriaus apvijų ir turime paprastą, gerai veikiantį plačiajuostį įtaisą. Tokį transformatorių gali suvynioti bet kas per kokį pusvalandį.
Norint pagaminti tikrai aukštos kokybės stiprintuvą, galinius tranzistorius Q1 ir Q2 reikia parinkti poromis. Tai galime padaryti surinkę visai paprastą schemutę su mikroschema
LM117, LM217 ar LM317.
Joje viso labo minėtoji mikroschema ir vienas rezistorius R1. Ši schema yra pastovios srovės šaltinis. Kokio dydžio srovė tekės, apsprendžia R1 nominalas. Prie 1,2 Omo ši schema
išduos 1A dydžio srovę. Reiškia, ir mūsų tiriamas tranzistorius bus maitinamas būtent tokio dydžio srove. Prisukame turimus tranzistorius ant nemažo radiatoriaus, pavyzdžiui ant aliuminio
plokštės ir paeiliui pajunginėjame užmaunamomis jungtimis prie mūsų srovės šaltinio. Įtampą ant mosfeto kontroliuojame voltmetru, duomenis užsirašome. Toliau paprastai būna
nesunku iš kokių 10 egzempliorių atrinkti dvi gerai sutampančias poras, jei tranzistoriai buvo pirkti iš vienos partijos.
Taip parinkus tranzistorių poras, gerokai supaprastėja stiprintuvo derinimas ir gauname neabejotinai geresnį rezultatą, nei sudėję bet kokius tranzistorius iš krūvos.
Jei kas norėtų šiuo principu pasigaminti grynai tranzistorinį stiprintuvą, toks yra čia [4]
